1. 场效应管是目前最为常用的一种半导体器件之一，它是在MOS（金属-氧化物半导体）结构的基础上发展起来的。场效应管的主要作用是放大电信号。

2. 场效应管的放大原理是利用静电场的作用，通过改变场效应管中的电场分布来改变电流。当MOS结构中的金属栅极施加一定的电压时，可以使氧化物层下面的P型半导体形成一个电子的“沟道”，从而导致漏极和源极之间产生电流。这个电流的大小与沟道宽度有关，而沟道宽度的大小则由金属栅极电势决定。

3. 场效应管不仅可以放大电信号，还可以作为开关使用。当金属栅极电势为高电平时，场效应管处于导通状态，漏极和源极之间有电流通过；当金属栅极电势为低电平时，场效应管处于截止状态，漏极和源极之间没有电流通过。这种开关功能在数字电路、自动控制等领域中有广泛应用。

4. 场效应管还有很多其他应用。例如，它可以作为直流电压调节器、功率放大器等。另外，场效应管还有一些具有特殊功能的衍生品，如JFET（结型场效应管）和MESFET（金属半导体场效应管）。

总之，场效应管在电子器件中的地位十分重要，它为电子技术的发展做出了巨大的贡献。在未来，随着科技的不断进步，相信场效应管的作用也将继续扩大。